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2091200PG2M11H2
Setra 2091200PG2M11H2压力变送器采用17-4PH不锈钢膜片和不锈钢电极构成可变电容。它体积小，重量轻，与系统设计能达到最佳匹配不锈钢敏感元件和采用ASIC 的信号处理电路封装在坚固的外壳 中，保证了209 系列低压压力变送器具有很好的性能，很高精度和长期可靠性。众多的特选项可满足OEM制造商对接线方
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1200BG1A001A3UA
Gems 先进的Psibar传感器制造技术使1200BG1A001A3UA压力变送器具有出众的稳定性和长期的可靠性,Psibar 的制造使用了等离子化学沉淀（CVD）技术，一个等离子气流引导化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上，形成一个非常灵敏精确的多晶硅应变片。 Gems 1200BG1A001A3UA压
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1200BGG5002A3UA
Gems 先进的Psibar传感器制造技术使1200BGG5002A3UA压力变送器具有出众的稳定性和长期的可靠性,Psibar 的制造使用了等离子化学沉淀（CVD）技术，一个等离子气流引导化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上，形成一个非常灵敏精确的多晶硅应变 片。 Gems 1200BGG5002A3UA
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1200BG3G002A3UA001
Gems 先进的Psibar传感器制造技术使1200BG3G002A3UA001压力变送器具有出众的稳定性和长期的可靠性,Psibar 的制造使用了等离子化学沉淀（CVD）技术，一个等离子气流引导化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上，形成一个非常灵敏精确的多晶硅应变片。 Gems 1200BG3G002A3
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1200BGA6001A3UA
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1200CGA2501A3UA
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