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Gems 11200bg4a001A3UA压力传感器具有稳定性和坚固性,因为它采用CVD 和ASIC(特定用途集成电路)设计并结合采用较厚的薄膜。这较厚的薄膜使得Gem1200bg4a001A3UAs 压力传感器可以承受因泵搅动和电磁阀等引起的最大压力峰 值。Gems 1200 系列为工业应用提供全焊接不锈钢后端,扩展
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Gems 1200bg4a002A3UA压力传感器具有稳定性和坚固性,因为它采用CVD 和ASIC(特定用途集成电路)设计并结合采用较厚的薄膜。这较厚的薄膜使得Gems 1200bg4a002A3UA压力传感器可以承受因泵搅动和电磁阀等引起的最大压力峰 值。Gems 1200 系列为工业应用提供全焊接不锈钢后端,扩展了
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Gems 先进的Psibar传感器制造技术使1200bg4a002A3UA压力变送器具有出众的稳定性和长期的可靠性,Psibar 的制造使用了等离子化学沉淀(CVD)技术,一个等离子气流引导化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上,形成一个非常灵敏精确的多晶硅应变片。 Gems 1200bg4a002A3UA压